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FQD13N06TM

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부품 번호 FQD13N06TM
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 152220 pcs
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부품 번호 FQD13N06TM 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 60V 10A DPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 152220 pcs 데이터 시트 FQD13N06, FQU13N06D-PAK Tape and Reel Data
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA
Vgs (최대) ±25V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 D-Pak 연속 QFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 140 mOhm @ 5A, 10V 전력 소비 (최대) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들 FQD13N06TM-ND
FQD13N06TMTR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 5 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 310pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 7.5nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V
상세 설명 N-Channel 60V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Tc)

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