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MKP386M527100JT8Electro-Films (EFI) / Vishay
CY8C22213-24PVICypress Semiconductor
H3BBG-10108-V8Hirose
5866403105FDialight
SSW-114-24-G-TSamtec, Inc.
SIT1602BC-82-18E-74.176000YSiTime
DF2B7AE,H3FToshiba Semiconductor and Storage
ATS-14E-126-C1-R0Advanced Thermal Solutions, Inc.
1808Y5000181MDRKnowles Syfer
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DTD123YCT116

DTD123YCT116
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부품 번호 DTD123YCT116
제조사 LAPIS Semiconductor
기술 NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 1047110 pcs
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부품 번호 DTD123YCT116 제조사 LAPIS Semiconductor
기술 NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1047110 pcs 데이터 시트 SOT-23 T116 Taping SpecDTD123YC
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 300mV @ 2.5mA, 50mA 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지 SST3 연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 10 kOhms 저항기 -베이스 (R1) 2.2 kOhms
전력 - 최대 200mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 다른 이름들 DTD123YCMGT116
DTD123YCT116TR
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 10 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 200MHz 상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 56 @ 50mA, 5V 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 500mA

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